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Category: TVSdiodeDescription: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RURP3060 快速/超快功率二极管, 软恢复, 单, 600 V, 30 A, 1.5 V, 55 ns, 325 A1023 -
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Category: TVSdiodeDescription: STMICROELECTRONICS STTH310. 快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 55 A9991 -
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Category: TVSdiodeDescription: ON SEMICONDUCTOR MUR460G 快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 4 A, 1.28 V, 50 ns, 110 A2675 -
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Category: TVSdiodeDescription: ON SEMICONDUCTOR MUR1100ERLG 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.75 V, 100 ns, 35 A2744 -
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Category: TVSdiodeDescription: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9R860P2 快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 2.4 V, 30 ns, 100 A5091 -
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Category: TVSdiodeDescription: STMICROELECTRONICS STTH1R02Q 快速/超快二极管, 单, 200 V, 1.5 A, 1 V, 30 ns, 60 A6295 -
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Category: TVSdiodeDescription: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FFH60UP60S3 标准功率二极管, 单, 600 V, 60 A, 1.7 V, 80 ns, 600 A8453 -
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Category: TVSdiodeDescription: INFINEON ESD3V3U1U-02LS E6327 静电保护装置, 低电容, 28 V, TSSLP-2-1, 2 引脚, 3.3 V, 0 mW8762 -
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Category: TVSdiodeDescription: INFINEON IDW30G65C5FKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-2478098 -
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Category: TVSdiodeDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2kV, 20A, 112NC, TO-247AC3433 -
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Category: TVSdiodeDescription: INFINEON ESD3V3U1U02LSE6327XTSA1 静电保护装置, 低电容, 28 V, TSSLP-2-1, 2 引脚, 3.3 V, 0 mW5441 -
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Category: TVSdiodeDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8034-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 10A, 66NC, TO-2574343 -
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Category: TVSdiodeDescription: ON SEMICONDUCTOR 1N6290AG TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 53 V, 85 V, 轴向引线, 2 引脚9804 -
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Category: TVSdiodeDescription: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor5931 -
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Category: TVSdiodeDescription: Transil™ TVS 轴向单向 1500W，STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics3151 -
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Category: TVSdiodeDescription: STMICROELECTRONICS 1.5KE43A TVS二极管, TVS, Transil 1.5KE系列, 单向, 36.8 V, 59.3 V, DO-201, 2 引脚8807 -
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Category: TVSdiodeDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR 1.5KE400CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 342 V, 548 V, DO-201, 2 引脚4796 -
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Category: TVSdiodeDescription: MULTICOMP 1.5KE400CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 342 V, 548 V, DO-201, 2 引脚5023 -
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Category: TVSdiodeDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR 1.5KE400A TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 单向, 342 V, 548 V, DO-201, 2 引脚9027 -
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Category: TVSdiodeDescription: MULTICOMP 1.5KE400A TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 单向, 342 V, 548 V, DO-201, 2 引脚2135 -
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Category: TVSdiodeDescription: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1.5KE400A TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 单向, 342 V, 548 V, DO-201AE, 2 引脚4225 -
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Category: TVSdiodeDescription: VISHAY 1.5KE36CA-E3/54 TVS二极管, AEC-Q107, AEC-Q101 TRANSZORB 1.5KE系列, 双向, 30.8 V, 49.9 V, DO-201, 2 引脚6103 -
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Category: TVSdiodeDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR 1.5KE36CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 30.8 V, 49.9 V, DO-201, 2 引脚4468 -
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Category: TVSdiodeDescription: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor5509
